氮化硅陶瓷是一种烧结时不收缩的无机材料。它是用硅粉作原料,先用通常成型的方法做成所需的形状,在氮气中及1200℃的高温下进行初步氮化,使其中一部分硅粉与氮反应生成氮化硅,然后在1350℃~1450℃的高温炉中进行第二次氮化,反应成氮化硅。用热压烧结法可制得达到理论密度99%的氮化硅。 在室温下Si3N4陶瓷的导热率范围在10到16 W.m -1.K -1之间。
分子式 |
Si3N4 |
相对分子质量 |
140.28 |
颜色 |
灰色、灰黑色 |
晶系 |
六方晶系。晶体呈六面体 |
陶瓷片制备方法 |
热压法 |
相对密度 |
99.5% |
密度 |
3.2+/-0.02 g/cm3 |
莫氏硬度 |
9~9.5 |
熔点 |
1900℃(加压下)。通常在常压下1900℃分解 |
热膨胀系数 |
2.8~3.2×10-6/℃(20~1000℃) |
比热容 |
0.71J/(g·K) |
热导率 |
15~ 20W/(m·K) |
弹性模量 |
300~320 GPa |
断裂韧性 |
6.0~7.0 MPa.m |
抗弯强度 |
650~750 Mpa |
韦泊模数 |
10~12 |
溶解度 |
不溶于水。溶于氢氟酸。 |
氧化温度 |
在空气中开始氧化的温度1300~1400℃ |
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