氮化硅陶瓷基片

  • 说明介绍
产品说明

氮化硅陶瓷是一种烧结时不收缩的无机材料。它是用硅粉作原料,先用通常成型的方法做成所需的形状,在氮气中及1200℃的高温下进行初步氮化,使其中一部分硅粉与氮反应生成氮化硅,然后在1350℃~1450℃的高温炉中进行第二次氮化,反应成氮化硅。用热压烧结法可制得达到理论密度99%的氮化硅。 在室温下Si3N4陶瓷的导热率范围在10到16 W.m -1.K -1之间。


分子式

Si3N4

相对分子质量

140.28

颜色

灰色、灰黑色

晶系

六方晶系。晶体呈六面体

陶瓷片制备方法

热压法

相对密度

99.5%

密度

3.2+/-0.02 g/cm3

莫氏硬度

9~9.5

熔点

1900℃(加压下)。通常在常压下1900℃分解

热膨胀系数

2.8~3.2×10-6/℃(20~1000℃)

比热容

0.71J/(g·K)

热导率

15~ 20W/(m·K)

弹性模量

300~320 GPa

断裂韧性

6.0~7.0 MPa.m

抗弯强度

650~750 Mpa

韦泊模数

10~12

溶解度

不溶于水。溶于氢氟酸。

氧化温度

在空气中开始氧化的温度1300~1400℃

通用参数
氮化硅陶瓷基片
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