铌酸锂晶体广泛应用于光通信、信息处理、集成光路、图象存储、谐波发生、倍频器件、参量振荡、1064nm激光的倍频，以及四倍频相位匹配装置等方面。如：SAW滤波器、Q-开关、电光调光器、参量振荡器 ,掺有Mg:O的LN晶体，其抗损阈值比纯LN晶体提高了一倍以上
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主要性能参数
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生长方法
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提拉法
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晶体结构
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三方
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晶格常数
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a=b=5.148Å c=13.863 Å
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熔点（℃）
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1250
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居里温度
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1140℃
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密度（g/cm3）
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4.64
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硬度
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5（mohs）
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光谱透过波长
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0.4-2.9um
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折射率
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no=2.286 ne=2.203 （632.8nm）
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非线性系数
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d22 = 2.1 d31 = - 4.5 d33 = -0.27 （pmv-1）
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电光系数
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γ13=8.6，γ22=3.4，γ33=30.8，γ51=28.0，（pmv-1）
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光学损坏阈
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250 MW/cm2 @ 1064 nm, t ~ 10nsec.
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光谱透过范围 透过率
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370～5000nm >68% （632.8nm）
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热膨胀系数
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a11=15.4×10-6/k，a33=7.5×10-6/k
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吸收损耗
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@ 1064 nm < 0.1 %/cm
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产品规格
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尺寸
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任何等于或小于Ø4″
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表面质量
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10/5
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尺寸公差
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Z轴： ±0.3mm
X轴、Y轴：±0.1mm
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平 面 度
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v8 （632.8nm）
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倒 角
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小于0.5mm，45 º±5 º
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镀 膜
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R<0.2%（1064nm）
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晶向精度
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Z轴： 5′
X、Y轴：<10′
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波前畸变
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<N4（633nm）
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平 行 度
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<10′
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消 光 比
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>400:1(633nm)φ6mm光束
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包装
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100级洁净袋，1000级超净室
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