SiO2单晶水晶片是一种极好的基片，用于无线通讯工业的微波滤波器。
| 主要性能参数 | |
| 生长方法 | 水热法 |
| 晶体结构 | 六方 |
| 晶格常数 | a=4.914Å c=5.405 Å |
| 熔点（℃） | 1610℃（相转变点：573.1℃） |
| 密度 | 2.684g/cm3 |
| 硬度 | 7（mohs） |
| 热熔 | 0.18cal/gm |
| 热导率 | 0.0033cal/cm℃ |
| 热电常数 | 1200uv/℃（300℃） |
| 折射率 | 1.544 |
| 热膨胀系数 | α11：13.71×106/ ℃ α33：7.48×106 /℃ |
| Q值 | 1.8×106 min |
| 声速、声表级 | 3160（m/sec） |
| 频率常数 | 1661（kHz/mm） |
| 压电偶合 | K2(%) BAW: 0.65 SAW: 0.14 |
| 晶向 |
Y、X或Z切，在30º~42.75 º ±5分范围内旋转任意值 主定位边：根据客户要求定方向±30分 次定位边：根据客户要求定方向 籽 晶：位于中心，宽度<5mm，高度>66mm |
| 抛光面 |
外延抛光：单抛或双抛Ra<10Å 工作区域：基片直径-3mm 弯 曲 度：Φ3″<20um，Φ4″<30um 工作区域无崩边，在边缘，崩边宽度<0.5mm 坑和划痕：每片<3，每100片<20 |
| 标准厚度 | 0.5mm±0.05mm TTV<5um |
| 标准直径 |
Φ2″(50.8mm)、Φ3″(76.2mm)、Φ4″(100mm)±0.2mm 主定位边：22±1.5mm (Φ3″) 32±3.0 (Φ4″) 次定位边：10mm±1.5mm |
| 产品型号 | 所属类目 | 文件 | 单价 | 发货日期 | 购物车 | |
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二氧化硅(SiO2) | 光电晶体 | ￥0.00 | 请联系客服 |
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