主要应用领域
1.高频大功率电力电子器件 Schottky diodes 、MOSFET 、JFET 、BJT 、PiN diodes 、IGBT
2.光电子器件：主要应用于GaN/SiC 蓝光LED的衬底材料（GaN/SiC）LED
| 主要性能参数 | |
| 生长方法 | MOCVD |
| 晶体结构 | 六方 |
| 晶格常数 | a=3.07 Å c=15.117 Å |
| 排列次序 | ABCACB |
| 方向 | 生长轴或 偏<0001> 3.5 º |
| 带隙 | 3.02 eV (间接) |
| 硬度 | 9.2（mohs） |
| 密度 | 3.21g/cm3 |
| 折射率 | no=2.55 ne=2.59 |
| 热传导@300K | 3 - 5 x 106W/ m |
| 介电常数 | e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33 |
| 尺寸 | 10x10mm，15x15mm， 20x20mm，Dia50.8mm，Dia76.2mm，Dia102.4mm |
| 厚度 | 厚度：0.35mm |
| 抛光 | 单面或双面 |
| 晶向 | <001>±0.5º |
| 晶面定向精度: | ±0.5° |
| 边缘定向精度: | 2°（特殊要求可达1°以内） |
| 斜切晶片 | 可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片 |
| Ra: | ≤5Å（5µm×5µm） |
| 包装 | 100级洁净袋，1000级超净室 |
