以 InAs 单晶为衬底可以生长 InAsSb/In－AsPSb,InNAsSb等异质结材料,制作波长 2～14μm的红外发光器件，用 InAs单晶衬底还可以外延生长AlGaSb超晶格结构材料 ,制作中红外量子级联激光器。.这些红外器件在气体监测、低损耗光纤通信等领域有良好的应用前景.此外, InAs 单晶具有很高的电子迁移率 ,是一种制作 Hall 器件的理想材料。作为单晶衬底 , InAs 材料需要具备低的位错密度、良好的晶格完整性、 合适的电学参数和较高的均匀性. InP单晶材料的主要生长方法是传统液封直拉技术（LEC）。
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主要性能参数 |
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单晶 |
掺杂 |
导电类型 |
载流子浓度 cm-3 |
迁移率(cm2/V.s) |
位错密度(cm-2) |
标准基片 |
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InAs |
本征 |
N |
5´1016 |
³2´104 |
<5´104 |
Φ2″×0.5mm Φ3″×0.5mm |
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InAs |
Sn |
N |
(5-20) ´1017 |
>2000 |
<5´104 |
Φ2″×0.5mm Φ3″×0.5mm |
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InAs |
Zn |
P |
(1-20) ´1017 |
100-300 |
<5´104 |
Φ2″×0.5mm Φ3″×0.5mm |
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InAs |
S |
N |
(1-10)´1017 |
>2000 |
<5´104 |
Φ2″×0.5mm Φ3″×0.5mm |
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尺寸（mm） |
Dia50.8x0.5mm,10×10×0.5mm、10×5×0.5mm可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底 |
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表面粗糙度 |
Surface roughness(Ra):<=5A |
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抛光 |
单面或双面 |
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包装 |
100级洁净袋，1000级超净室 |
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