InP单晶基片
InP单晶材料作为最重要的化合物半导体材料之一,是生产光通讯中InP基激光二极管（LD），发光二极管（LED）和光探测器等的关键材料，这些器件实现了光纤通信中信息的发射、传播、放大、接受等功能。InP也非常适用于高频器件，如高电子迁移率晶体管（HEMT）和异质结双极晶体管（HBT）等方面由于其本身具有的优越特性,使其在光纤通信、微波、毫米波、抗辐射太阳能电池、异质结晶体管等许多高技术领域有广泛的应用. InP单晶材料的主要生长方法，包括传统液封直拉技术（LEC）、改进的LEC技术、气压控制直拉技术（VCZ/PC－LEC）/垂直梯度凝固技术（VGF）/垂直布里奇曼技术（VB）等。
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主要性能参数 |
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单晶 |
掺杂 |
导电类型 |
载流子浓度 cm-3 |
迁移率(cm2/V.s) |
位错密度(cm-2) |
标准基片 |
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InP |
本征 |
N |
(0.4-2)´1016 |
(3.5-4)´103 |
£5´104 |
Φ2″×0.35mm Φ3″×0.35mm |
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InP |
S |
N |
(0.8-3)´1018 (4-6)´1018 |
(2.0-2.4)´103 (1.3-1.6)´103 |
£ 3´104 £2´103 |
Φ2″×0.35mm Φ3″×0.35mm |
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InP |
Zn |
P |
(0.6-2) ´1018 |
70-90 |
£ 2´104 |
Φ2″×0.35mm Φ3″×0.35mm |
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InP |
Te |
N |
107-108 |
³2000 |
£3´104 |
Φ2″×0.35mm Φ3″×0.35mm |
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尺寸（mm） |
Dia50.8x0.35mm,10×10×0.35mm、10×5×0.35mm可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底 |
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表面粗糙度 |
Surface roughness(Ra):<=5A |
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抛光 |
单面或双面 |
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包装 |
100级洁净袋，1000级超净室 |
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晶体 |
结构 |
晶向 |
熔点 oC |
密度 g/cm3 |
禁带宽度 |
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InP |
立方, a=5.869 A |
<100> |
1600 |
4.79 |
1.344 |
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