Si 用途:用作半导体材料,大功率晶体管,整流器,太阳能电池等。
主要性能参数 |
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晶体结构 |
面心立方 |
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熔点(℃) |
1420 |
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密度 |
2.4(g/cm3) |
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掺杂物质 |
不掺杂 |
掺B |
掺P |
类 型 |
I |
P |
N |
电 阻 率 |
Ø 1000Ωcm |
10-3~40Ωcm |
10-3~40Ωcm |
E P D |
≤100∕cm2 |
≤100∕cm2 |
≤100∕cm2 |
氧含量(∕cm3) |
≤1~1.8×1018 |
≤1~1.8×1018 |
≤1~1.8×1018 |
碳含量(∕cm3) |
≤5×1016 |
≤5×1016 |
≤5×1016 |
尺寸 |
10×3m、10×5m、10×10mm、15×15mm, Dia50.8mm,Dia76.2mm,Dia100mm 可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸的基片 |
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厚度 |
0.5mm、1.0mm |
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尺寸公差 |
<±0.1mm |
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厚度公差 |
<±0.015mm特殊要求可达到<±0.005mm) |
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抛光 |
单面或双面 |
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晶面定向精度 |
±0.5° |
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边缘定向精度 |
2°(特殊要求可达到1°以内) |
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取向 |
<100>、<110>、<111>等 |
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包装 |
100级洁净袋,1000级超净室 |